产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC857SH6327XTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 650mV @ 5mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 2mA,5V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT363-PO
- 功率 - 最大值 :
- 250mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- 2 PNP(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 45V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 15nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNCF2010DTC681R
RNCF2010DTC698R
RNCF2010DTC715R
RNCF2010DTC732R
RNCF2010DTC750R
RNCF2010DTC768R
RNCF2010DTC787R
RNCF2010DTC806R
RNCF2010DTC820R
RNCF2010DTC825R
RNCF2010DTC845R
RNCF2010DTC866R
RNCF2010DTC887R
RNCF2010DTC909R
RNCF2010DTC910R
RNCF2010DTC931R
RNCF2010DTC953R
RNCF2010DTC976R
RNCF2010DTC1K00
RNCF2010DTC1K02
