产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD667-D-BP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 160 @ 150mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92MOD
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C316C362F2G5TA7301
C316C392F2G5TA7301
C316C432F2G5TA7301
C316C472F2G5TA7301
C316C512F2G5TA7301
C316C562F2G5TA7301
C316C622F2G5TA7301
C316C682F2G5TA7301
C316C752F2G5TA7301
C316C822F2G5TA7301
C316C112FAG5TA7301
C316C122FAG5TA7301
C316C132FAG5TA7301
C316C152FAG5TA7301
C316C162FAG5TA7301
C316C182FAG5TA7301
C316C202FAG5TA7301
C316C222FAG5TA7301
C316C242FAG5TA7301
C316C272FAG5TA7301
