产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KTD1898-O-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 20mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 70 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1210J0250821GCR
1210J0250821GFR
1210J0250821GFT
1210J0250821JCR
1210J0250821JFR
1210J0250821JFT
1210J0250821KCR
1210J0250821KFR
1210J0250821KFT
1210J0250822FCR
1210J0250822FFR
1210J0250822FFT
1210J0250822GCR
1210J0250822GFR
1210J0250822GFT
1210J0250822JCR
1210J0250822JDR
1210J0250822JDT
1210J0250822JFR
1210J0250822JFT
