产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1308-R-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 450mV @ 150mA，1.5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 180 @ 500mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
IDT71V3559S75PF8
71V3559S75PFGI
71V3559S75PFGI8
IDT71V3559S75PFI
IDT71V3559S75PFI8
IDT71V3559S80PF
IDT71V3559S80PF8
IDT71V3559S80PFI
IDT71V3559S80PFI8
IDT71V3559S85PF
IDT71V3559S85PF8
IDT71V3559S85PFI
IDT71V3559S85PFI8
IDT71V3559SA75BG
IDT71V3559SA75BG8
IDT71V3559SA75BQ
IDT71V3559SA75BQ8
IDT71V3559SA75BQG
IDT71V3559SA75BQG8
IDT71V3559SA75BQGI
