产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1188-P-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 800mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 82 @ 500mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
Y0793511R000B0L
Y0793681R000B9L
Y07939K00000B9L
Y470044K0000T9L
Y470047K0000T9L
CNS020-3MF
CNS020-1M8F
CNS020-1M1F
Y1749100R000T9L
Y17491K00000T9L
Y07340R50000D0L
Y0011300K000Q0L
Y0011349K650Q9L
RCME0510001DYS14
RWR81N1240DSRSL
RWR81N1240DSBSL
RWR81N10R0DSRSL
RWR81N10R0DSBSL
RWR81N1820DSRSL
RWR81N1820DSBSL
