产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1116-L-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 135 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 70MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MSAST042SCG9R1CWNA01
MSAST042SCG2R8BWNA01
MLAST042SCG4R2BWNA01
MSAST042SCG2R2BWNA01
MSAST042SCG4R7BWNA01
MSAST042SCG6R8CWNA01
MLAST042SCG9R4CWNA01
MLAST042SCG0R5BWNA01
MLAST042SCG2R8BWNA01
MLAST042SCG9R3CWNA01
MLAST042SCG0R6BWNA01
MSAST042SCG7R8CWNA01
MSAST042SCG8R2CWNA01
MSAST042SCG8R5CWNA01
MLAST042SCG4R4BWNA01
MLAST042SCG9R5CWNA01
MLAST042SCG4R7BWNA01
MSAST042SCG8R4CWNA01
MSAST042SCG5R2CWNA01
MSAST042SCG3R7BWNA01
