产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JANSP2N3636
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 50mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-39（TO-205AD）
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 175 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 10 µA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
ATSAMD21G15B-AUT
AVR64DB32-I/PT
AVR64DB32-I/RXB
MSP430FR2311IPW20
PIC18LF25K42-I/SO
PIC18F27Q10-I/SP
PIC18F27Q43-E/SS
AVR64DB48T-E/6LX
AVR32DB48T-E/PT
PIC18F14K22T-I/SO
ATSAMD21E15L-MFT
MSP430F1111AIPWR
PIC18F46Q83-I/NHX
AVR32DA48-I/PT
PIC16F1826-E/P
PIC18F26Q84-E/SS
PIC18F46Q71-I/PT
MKL03Z8VFG4
ATSAMD21E15B-AFT
PIC18F27Q43-E/SO
