产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JANSD2N3636UB
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 600mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 50 @ 50mA,10V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 1.5 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 4-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 175 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 10 µA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RK73G1ETTP3092C
RK73G1ETTP1873C
RK73B3ATTE166J
RK73G1ETTP5762C
RK73G1ETTP1243C
RK73B3ATTE155J
RK73G1ETTP2320C
RK73G1ETTP1961C
RK73G1ETTP1371C
RK73G1ETTP1781C
RK73G1ETTP4871C
RK73G1ETTP1072C
RK73G1ETTP1742C
RK73G1ETTP2321C
RK73G1ETTP4993C
RK73G1ETTP8250C
RK73G1ETTP8450C
RK73G1JTTD2742C
RK73G1JTTD2370C
RK73G1JTTD1910C
