文档与媒体
- 数据列表
- BC856B/DG/B4R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 125 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-236AB
- 功率 - 最大值 :
- 250 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 65 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SR73W2HTTER162F
SR73W2HTTER309F
SR73W2HTTER270F
SR73W2HTTER39G
SR732HTTER20G
SR73W2HTTER392F
SR73W2HTTER187F
SR73W2HTTER205F
SR732HTTER133F
SR732HTTER453F
SR73W2HTTER191F
SR73W2HTTER150F
SR732HTTER249F
SR73W2HTTER374F
SR732HTTER309F
SR732HTTER267F
SR732HTTER232F
SR732HTTER255F
SR73W2HTTER332F
SR73W2HTTER140F
