产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA1013-O,T6MIBF(J
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.5V @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 60 @ 200mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92L
- 功率 - 最大值 :
- 900 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GA0805A6R8BBEAT31G
GA1206A1R8DEEAR34G
GA0805A8R2DEEAO34G
GA0603A120FECAO34G
GA1206A100FBLAT31G
GA0805A390GEAAO34G
GA0805A100FECAO34G
GA0603A1R0DECAI34G
GA0805A8R2BEAAI34G
GA1206A270KXBAC31G
GA0805A120JXEAC31G
GA0805A150JEEAI34G
GA0805A4R7BXCAP31G
GA0805A6R8BBBAT31G
GA0603A1R2BEAAO34G
GA1206A2R7CXLAC31G
GA1206A390JXBAP31G
GA0805A1R8DBBAR31G
GA0603A330KEAAI34G
GA0402A2R2DEAAI34G
