产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JAN2N708
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 40 @ 10mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-18（TO-206AA）
- 功率 - 最大值 :
- 360 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-206AA，TO-18-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 15 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- -
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 25nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H12B221DRT1
M55342H06B27A0RT1
D55342K07B221DST1V
D55342K07B49D9ST1V
M55342H12B24D9RT1
M55342H12B66D2RT1
M55342H12B15D0RT1
M55342H12B180DRT1
M55342H12B41E2RT1
M55342H12B100EMT1
M55342H12B47D5RT1
M55342H12B49D9RT1
M55342H12B6E80MT1
M55342H12B324DRT1
M55342H12B100DPT1
M55342H12B10E0CT1
M55342H06B10B0RT1
M55342H06B1B67RT1
M55342H06B6B04RT1
M55342H06B2B43RT1
