产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BC858BMTF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 650mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 2mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 310 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 15nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C0402C189C5GAC7867
C0603C822K5RAC7867
C0805C331J5GAC7800
C0805C220J1GAC7800
C0402C159C5GAC7867
CC0100JRNPO7BN270
CC0100JRNPO7BN150
C0402C279C5GAC7867
CC0100JRNPO7BN120
CC0100JRNPO7BN330
C0805C680J5GAC7800
C0402C129C5GAC7867
C0402C399C5GAC7867
C0402C229C5GAC7867
C0402C100K5GACAUTO
CC0100JRNPO7BN100
C0603C104M5RACAUTO
C0402C479C5GAC7867
C0402C109C5GAC7867
C0402C201J5GAC7867
