产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT4354
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
E2E-X22B1DL30 5M
E2E-X22B1D30-M1TJ 0.3M
E2E-X22B1D30-R 2M
E2E-X22B1TL30 5M
E2E-X22B1T30-M1TJ 0.3M
E2E-X22B1T30-R 2M
E2E-X22B3DL30 5M
E2E-X22B3D30-M1TJ 0.3M
E2E-X22B3D30-R 2M
E2E-X40MC2L30 5M
E2E-X40MC1L30 5M
E2E-X40MC3L30 5M
E2E-X40MB2L30 5M
E2E-X40MB1DL30 5M
E2E-X40MB1TL30 5M
E2E-X40MB3DL30 5M
E2E-X4C2L8 5M
E2E-X4C28-M1TJ 0.3M
E2E-X4C28-R 2M
E2E-X4C1L8 5M
