产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1216T-TL-H
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 500mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TP-FA
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 4 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 130MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K10B4E87RWIM
M55342K10B10E0RTIM
M55342K10B14B3RTIM
M55342K10B5B76RTIM
M55342K10B17B8RTIM
M55342K10B267BRWIM
M55342K10B17B8RWIM
M55342K10B29E4RWIM
M55342E10B49D9RWIM
M55342E10B17B8RTIM
M55342E10B267BRTIM
M55342E10B1B00RTIM
M55342E10B49D9RTIM
Y08500R05000G0W
Y112125K0000B9L
Y162510K9000Q0W
Y162512K9000Q0W
Y162513K8000Q0W
Y1625250R000T0W
Y16252K32000T0W
