产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1202T-E
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 700mV @ 100mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TP
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
QCCT501Q161F1GV001E
QCCP501Q820F1GV002T
QCCF251Q100G1GV001T
QCCF251Q2R1A1GV001T
QCCP501Q820F1GV001T
QCCT102Q6R2C1GV001E
QCCT501Q161J1GV002E
QCCP501Q101F1GV001T
QCCF251Q2R4C1GV001T
QCCT102Q1R7B1GV002E
QCCP501Q101F1GV002T
QCCF251Q1R8A1GV002T
QCCT102Q2R7C1GV001E
QCCT102Q2R1D1GV002E
QCCT102Q2R1D1GV001E
QCCP501Q160K1GV001T
QCCP501Q3R3D1GV002T
QCCF251Q1R1C1GV001T
QCCF251Q160K1GV002T
QCCF251Q180F1GV002T
