产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA1162S-Y,LF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 2mA,6V
- 供应商器件封装 :
- S-Mini
- 功率 - 最大值 :
- 150 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- 125°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 150 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
EP4SE360H29I4G
EP4SE360F35I4G
5SGXMA5K2F35C1G
EP4SGX230FF35C2XG
EP4SGX230FF35I3G
5SGXEA5N1F45C2LG
5SGXEA5N1F45C2G
5SGXEA5K2F35C1G
1SG110HN3F43E2LG
5SEE9F45I4G
5SEE9F45C3G
10AX115S2F45I1SG
5SGXEB5R3F43C2G
5SGXEB5R3F43C2LG
5SGXEB5R3F43I3G
5SGXEB5R3F43I3LG
EP4SGX530KF43C4G
EP4SGX530KH40C4G
5SGSMD5H1F35C2LG
5SGSMD5H1F35C2G
