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- 数据列表
- MJD32CTF_NBDD002
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1.2V @ 375mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 10 @ 3A,4V
- 供应商器件封装 :
- D-Pak
- 功率 - 最大值 :
- 1.56 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50µA
- 频率 - 跃迁 :
- 3MHz
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