产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MJD31CTF_SBDD001A
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 1.2V @ 375mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 10 @ 3A,4V
- 供应商器件封装 :
- D-Pak
- 功率 - 最大值 :
- 1.56 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50µA
- 频率 - 跃迁 :
- 3MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GCQ1555C1H4R0DB01J
GCQ1555C1H3R7DB01J
GCQ1555C1H3R6DB01J
GCQ1555C1HR70DB01J
GCQ1555C1H4R3DB01J
GCQ1555C1H2R4DB01J
C0805C153M5JAC7800
C0805C223K5JAC7800
C0805C682M4JAC7800
C0805C682M5JAC7800
C0805C682M8JAC7800
C0603X102J3GEC7867
C0603X102J5GEC7867
C0603X102J1GEC7867
C0603X102J2GEC7867
C0603X682M8JACAUTO
C0603X332M8JACAUTO
C0603X153M8JACAUTO
C0603X152M8JACAUTO
C0603X152M5JACAUTO
