产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NST489AMT1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 100mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 300 @ 500mA，5V
- 供应商器件封装 :
- 6-TSOP
- 功率 - 最大值 :
- 535 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012V-3571-B-T1
RG2012V-3651-B-T1
RG2012V-3741-B-T1
RG2012V-3831-B-T1
RG2012V-3921-B-T1
RG2012V-4021-B-T1
RG2012V-4121-B-T1
RG2012V-4221-B-T1
RG2012V-4321-B-T1
RG2012V-4421-B-T1
RG2012V-4531-B-T1
RG2012V-4641-B-T1
RG2012V-4751-B-T1
RG2012V-4871-B-T1
RG2012V-4991-B-T1
RG2012V-5111-B-T1
RG2012V-5231-B-T1
RG2012V-5361-B-T1
RG2012V-5491-B-T1
RG2012V-5621-B-T1
