产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MPSW42
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 2mA，20mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 40 @ 30mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-92（TO-226）
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 300 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73H1JTTD3360C50
RN73H1JTTD3883C50
RN73H1JTTD3791B50
RN73H1JTTD4422B25
RN73H1JTTD5761B25
RN73H1JTTD4643C50
RN73H1JTTD3161C50
RN73H1JTTD60R4C50
RN73H1JTTD5693B25
RN73H1JTTD4592B25
RN73H1JTTD6490C25
RN73H1JTTD4991C25
RN73H1JTTD5423B25
RN73H1JTTD6342C50
RN73H1JTTD46R4C50
RN73H1JTTD3321C25
RN73H1JTTD3611B50
RN73H1JTTD3703C50
RN73H1JTTD4223C50
RN73H1JTTD4932B50
