产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA1812T100Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 50mA，5V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 400 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 12MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GQM2195C2E330FB12D
GQM2195C2E390FB12D
GQM2195C2E820FB12D
GQM2195C2E680FB12D
GQM2195C2E200FB12D
GQM2195C2E101FB12D
GQM2195C2E5R0WB12D
GCM3195G1H222GA16D
C1210X184K3JAC7800
1206Y0500101JAT
1206Y0500121JAT
1206Y0500151JAT
1206Y0500181JAT
1206Y0630101JAT
1206Y0630121JAT
1206Y0630151JAT
1206Y0630181JAT
1206Y1000101JAT
1206Y1000121JAT
1206Y1000151JAT
