产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMJT9410T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 450mV @ 300mA，3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 85 @ 800mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223（TO-261）
- 功率 - 最大值 :
- 3 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 72MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RCP2512W1K10JEB
RCP2512W1K10JS3
RCP2512W1K20GEB
RCP2512W1K20GS3
RCP2512W1K20JEB
RCP2512W1K20JS3
RCP2512W1K30GEB
RCP2512W1K30GS3
RCP2512W1K30JEB
RCP2512W1K30JS3
RCP2512W1K50GEB
RCP2512W1K50GS3
RCP2512W1K50JEB
RCP2512W1K50JS3
RCP2512W1K60GEB
RCP2512W1K60GS3
RCP2512W1K60JEB
RCP2512W1K60JS3
RCP2512W1K80GEB
RCP2512W1K80GS3
