产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT4356
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 50 @ 10mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 800 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RX-8025SA:AA3:PURE SN
RX-8035LC:AA0:PURE SN
RX-8035SA:AA0:PURE SN
RX-8035SA:AA3:PURE SN
1338AC-31SRGI
1338AC-31SRGI8
1337AGCSRGI
1337AGCSRGI8
1338AC-18SRGI
1338AC-18SRGI8
1339AC-2SRGI
1339AC-2SRGI8
1339AC-31SRGI
1339AC-31SRGI8
DS12885TN+
RX-4575LC:B3:PURE SN
RTC-72423A0:ROHS
PT7C43190LEX
PT7C43190WEX
PT7C433833WE
