产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSD471AGBU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 100mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 130MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
8N4SV75EC-0009CDI
8N4SV75EC-0009CDI8
8N4SV75EC-0010CDI
8N4SV75EC-0010CDI8
8N4SV75EC-0011CDI
8N4SV75EC-0011CDI8
8N4SV75EC-0012CDI
8N4SV75EC-0012CDI8
8N4SV75EC-0013CDI
8N4SV75EC-0013CDI8
8N4SV75EC-0014CDI
8N4SV75EC-0014CDI8
8N4SV75EC-0015CDI
8N4SV75EC-0015CDI8
8N4SV75EC-0016CDI
8N4SV75EC-0016CDI8
8N4SV75EC-0017CDI
8N4SV75EC-0017CDI8
8N4SV75EC-0018CDI
8N4SV75EC-0018CDI8
