产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- KSA643GBU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 200 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 200nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CDR31BX682AKWS\M1K
CDR01BP820BJSM\1K
CDR31BX183AKMS-ZAHAE
CDR31BP120BJUS\M1K
CDR31BX472BKWM\M500
CDR01BP100BKSM\M500
CDR01BX271BKUR\M1K
CDR01BX122BKUR\M500
CDR31BP330BKUS\M500
CDR31BX153AKUP\M500
CDR31BP100BKWR\M1K
CDR31BX102BKMP\M500
CDR01BP101BKSR\M500
CDR01BP820BJSP\1K
CDR01BX272BKSM\M500
CDR31BP151BJMM\M1K
CDR01BP101BJUM\M500
CDR01BP151BJUM\M500
CDR01BP470BJSS\1K
CDR31BX102BKUP-ZAHAE
