产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5087TAR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 250 @ 100µA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 40MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CMF55459R00BEEB
CMF5545K300BEEB
CMF5545K300BER6
CMF55464R00BEEB
CMF55464R00BER6
CMF5546K400BEEB
CMF5546K400BER6
CMF55470K00BEEB
CMF55470K00BER6
CMF55475K00BER6
CMF5547K000BEEB
CMF5547K500BEEB
CMF5547K500BER6
CMF5547R500BEEB
CMF55487K00BEEB
CMF55487K00BER6
CMF55487R00BER6
CMF5548K700BEEB
CMF5548K700BER6
CMF5548R700BEEB
