产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N6520BU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 20 @ 50mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 350 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
EMK212SD333KD-T
C0603X103J3JACAUTO
C0603X181K1RACAUTO
VJ1206Y103KXCAC
VJ0805Y102KXCAC
C1206C102J4RAC7800
VJ0603D301KXAAJ
VJ0805V225MXJTW1BC
CGB2T1X5R0G105M022BC
C1005JB1A475M050BC
0201ZD822KAT2A
C0805C223MCRAC7800
FA18C0G2A222JNU06
08052U101GAT2A
CGA4J3C0G2E682J125AA
CGA4J3X8R1H224K125AE
FA24C0G2W101JNU06
CGA5L4X7R2J333K160AA
501R18W221KV4T
K471J15C0GH5TH5
