产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N6520BU
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 20 @ 50mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 350 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
R5F562TABDFK#13
R5F52108CDFM#10
SPC560P60L3CEFAY
PIC16LF873T-04I/SO
PIC24HJ64GP510T-I/PT
SIM3C136-B-GMR
ATSAM4C8CB-AUR
R5F562T6EDFF#V3
R5F562TAADFM#13
R5F562TAADFM#11
U87C196MCSF81
PIC18LF2455-I/SP
DSPIC30F3014-20I/ML
PIC18F8493-I/PT
DSPIC33FJ32GS610-E/PT
PIC24FJ128DA206-I/MR
PIC32MX370F512LT-I/PT
ATSAM4LS8BA-MUR
S9S12ZVL32F0MLF
STM32G473VEH3
