产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N4123TA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 2mA，1V
- 供应商器件封装 :
- TO-92-3
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 250MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R1JTTD3603F25
RN73R1JTTD26R4D100
RN73R1JTTD2083F50
RN73R1JTTD1623F100
RN73R1JTTD1523F50
RN73R1JTTD2322F25
RN73R1JTTD1911F25
RN73R1JTTD3053F50
RN73R1JTTD2153F50
RN73R1JTTD54R9F50
RN73R1JTTD2582F25
RN73R1JTTD3792F25
RN73R1JTTD22R1F50
RN73R1JTTD5052F50
RN73R1JTTD30R5F50
RN73R1JTTD5491F100
RN73R1JTTD2943D50
RN73R1JTTD2402F50
RN73R1JTTD2180F25
RN73R1JTTD1643D50
