文档与媒体
- 数据列表
- 2SD20670RA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1.5V @ 1mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 8000 @ 1A，10V
- 供应商器件封装 :
- MT-2-A1
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5332FD12099-GM1
SI5332FD10381-GM1
SI5332FD12158-GM1
SI5332FD10704-GM1
SI5332FD14158-GM1
SI5332FD10138-GM1
SI5332FD10257-GM1
SI5332FD10859-GM1
SI5332FD12215-GM1
SI5332FD13965-GM1
SI5332FD10259-GM1
SI5332FD11480-GM1
SI5332FD14688-GM1
SI5332FD14409-GM1
SI5332FD14774-GM1
SI5332FD14404-GM1
SI5332AD10361-GM1R
SI5317D-C-GMR
SI5332FD10006-GM2R
CS2000P-DZZR
