产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2132T3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 70mA,700mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 150 @ 100mA,3V
- 供应商器件封装 :
- SC-74
- 功率 - 最大值 :
- 342 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-74,SOT-457
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 700 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
C410C123J1G5TA
0603Y0500123MET
0603Y0630123MET
C1210C332F1HAC7800
C1210C362F1HAC7800
C1210C392F1HAC7800
C1210C432F1HAC7800
C1210C472F1HAC7800
C1210C562F1HAC7800
CGA4J3X8R1C105M125AE
C315C121J2G5TA
C315C271J2G5TA
C317C121J2G5TA
MCRLJ219SB5106MTNA01
MMRLJ219SB5106MTNA01
MBRLJ219SB5106MTNA01
MCRLJ219SB5106MTNA1J
GCM2165G2A471GA16D
GCM2165G2A271GA16D
GCM2165G2A391GA16D
