产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2132T3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 70mA，700mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 150 @ 100mA，3V
- 供应商器件封装 :
- SC-74
- 功率 - 最大值 :
- 342 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-74，SOT-457
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 700 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 1µA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNC55J34R0BSRE8
RNC55J86R6BSRE8
RNC55J1320BSRE7
RNC55J3052BSRE7
RNC55J1651BSRE8
RNC55J79R6BSRE8
RNC55J4021BSRE8
RNC55J6981BRRE7
RNC55J1651BSRE7
RNC55J51R7BSRE7
RNC55J1692BSRE8
RNC55J9091BSRE7
RNC55J1980BSRE7
RNC55J5110BSRE8
RNC55J9311BSRE7
RNC55J1450BSRE8
RNC55J31R6BSRE8
RNC55J1802BSRE8
RNC55J75R9BSRE7
RNC55J34R4BSRE7
