产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMJT9410T1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 450mV @ 300mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 85 @ 800mA,1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223(TO-261)
- 功率 - 最大值 :
- 3 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 72MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RNR65H3161DRB14
RNR65H2741DRB14
RNR65H1053DRB14
RNR65H1602DRB14
RNR65H4323DRB14
RNC65H3522DRRSL
RNC65H5111DPRSL
RNR65H4170DRB14
RTO020FR0100JTE3
RTO020FR0150JTE3
Y0075100K000F0L
Y0075100K000F9L
Y0075110K000F0L
Y0075120K000F0L
Y0075137K000F9L
Y007582K0000F9L
Y007590K0000F0L
Y007590K0000F9L
Y007590K9000F0L
Y0789100K000C0L