产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT8099LT1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 5mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1mA，5V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R2ETTD8871C50
RN73R2ETTD41R7C50
RN73R2ETTD37R0C50
RN73R2ETTD2210C50
RN73R2ETTD5970C50
RN73R2ETTD3010C50
RN73R2ETTD1843C50
RN73R2ETTD19R6C50
RN73R2ETTD2211C50
RN73R2ETTD1600C50
RN73R2ETTD6811C50
RN73R2ETTD4173C50
RN73R2ETTD4992C50
RN73R2ETTD2740C50
RN73R2ETTD73R2C50
RN73R2ETTD2643C50
RN73R2ETTD1091C50
RN73R2ETTD1173C50
RN73R2ETTD3920C50
RN73R2ETTD7062C50
