文档与媒体
- 数据列表
- 2SD25980RA
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 2.5V @ 500µA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 8000 @ 500mA，10V
- 供应商器件封装 :
- MT-2-A1
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- 3-SIP
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG1608N-1782-B-T1
RG1608N-1822-B-T1
RG1608N-1872-B-T1
RG1608N-1912-B-T1
RG1608N-1962-B-T1
RG1608N-2052-B-T1
RG1608N-2102-B-T1
RG1608N-2152-B-T1
RG1608N-2212-B-T1
RG1608N-2262-B-T1
RG1608N-2322-B-T1
RG1608N-2372-B-T1
RG1608N-2432-B-T1
RG1608N-2492-B-T1
RG1608N-2552-B-T1
RG1608N-2612-B-T1
RG1608N-2672-B-T1
RG1608N-2742-B-T1
RG1608N-2802-B-T1
RG1608N-2872-B-T1
