文档与媒体
- 数据列表
- 2SD12110R
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 1V @ 30mA，300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 130 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- TO-92L-A1
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长体
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 120 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RN73R2ATTD5972D10
RN73R2ATTD2980D10
RN73R2ATTD54R9D10
RN73R2BTTD1090D10
RN73R2ATTD9762D10
RN73R2ATTD6812D10
RN73R2ATTD6802D10
RN73R2ATTD3000D10
RN73R2BTTD1142D10
RN73R2ATTD3831D10
RN73R2BTTD1042D10
RN73R2ATTD7771D10
RN73R2ATTD4592D10
RN73R2ATTD5902D10
RN73R2ATTD5971D10
RN73R2BTTD1040D10
RN73R2BTTD1062D10
RN73R2ATTD6981D10
RN73R2ATTD3701D10
RN73R2ATTD51R7D10
