文档与媒体
- 数据列表
- MMBT2907A
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 400mV @ 15mA，150mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 150mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 300 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG3216P-1912-P-T1
RG3216P-1962-P-T1
RG3216P-2052-P-T1
RG3216P-2102-P-T1
RG3216P-2152-P-T1
RG3216P-2212-P-T1
RG3216P-2262-P-T1
RG3216P-2322-P-T1
RG3216P-2372-P-T1
RG3216P-2432-P-T1
RG3216P-2492-P-T1
RG3216P-2552-P-T1
RG3216P-2612-P-T1
RG3216P-2672-P-T1
RG3216P-2742-P-T1
RG3216P-2802-P-T1
RG3216P-2872-P-T1
RG3216P-2942-P-T1
RG3216P-3012-P-T1
RG3216P-3092-P-T1
