产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N6353
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 2.5V @ 10mA,5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 1000 @ 5A,5V
- 供应商器件封装 :
- TO-66(TO-213AA)
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-213AA,TO-66-3
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
W25Q32FWZEIG TR
W25Q64FVZEIG TR
W25Q64FWBYIG TR
W956D6HBCX7I TR
W957D6HBCX7I TR
W966D6HBGX7I TR
W967D6HBGX7I TR
MT48LC64M8A2P-75IT:C
AT45DB021D-MH-T
RM24C32C-BSNC-T
RM24C64C-BSNC-T
N25Q128A11ESF40F TR
N25Q032A13EF440F TR
N25Q064A13E1240F TR
R1LP0108ESN-5SI#B0
R1LP0108ESN-5SR#B0
R1LP0108ESN-5SR#S0
R1LP0108ESN-7SI#B0
R1LP0108ESN-7SI#S0
R1LP0108ESN-7SR#B0
