产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JANTX2N3501UB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 15mA,150mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 150mA,10V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 300 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RHEL81H473K1DGA36A
RHEL81E224K1M1A13A
RHE5G2A221J1MKA19P
RHEL82A103K1A2A46B
RHEL81E222K1DGA13A
RHE5G2A331J1DLA23P
RHEL81E222K1DBA13A
RHEL81E104K1DBA15A
RHEL82A222K1A2A36B
RHE5G2A331J1ADA03B
RHE5G2A102J1M1A36A
RHEL82A102K1ADA03B
RHEL81E472K1DBA13A
RHE5G2A101J1DGA36P
RHEL81H103K1M1A13A
RHEL81E104K1DBA12A
RHEL81E472K1M1A13A
RHEL81E222K1M1A13A
RHEL81H222K1M1A23A
RHE5G2A331J1M1A36A
