产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N2369AUB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 450mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 40 @ 10mA,1V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 400 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- -
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 400nA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
50SEV4R7M4X5.5
860080474015
860160574017
UPV0J101MFD1TD
UWF1A330MCL1GB
UHD1E221MPD1TD
UKT1E470MDD1TD
UKA0J101MDD1TD
UPV1C560MFD1TD
EEE-HA0J470AR
UWZ1C330MCL1GB
UWD1E150MCL1GS
UPS2W010MPD1TD
UUD1C330MCL1GS
EEE-HA1V100AR
UWT0J221MCL1GB
UUX1H220MCL6GS
BMVK100ADA330MF60G
EMZA250ARA100MD61G
UVP1V220MED1TD
