产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JAN2N3499
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 600mV @ 30mA,300mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 150mA,10V
- 供应商器件封装 :
- TO-39(TO-205AD)
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342H12B4B99PTS
M55342H12B2E80RWS
M55342H12B4E87RTS
M55342H12B787ARTS
M55342H12B1E87RTS
M55342K12B70B6RTS
M55342K12B3B30RTS
M55342H12B1B60RWS
M55342K12B3B92RTS
M55342K12B63B4PTS
M55342H12B10A0RWS
M55342K12B1B91RWS
M55342K12B3B88RTS
M55342K12B38E3RTSV
M55342H12B33D2RTS
M55342K12B8B06RWS
M55342H12B9H10RWS
M55342K12B75D0RTSV
M55342H12B4B07RWS
M55342K12B7B32RBS