产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N3636UB/TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 600mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 50mA，10V
- 供应商器件封装 :
- UB
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD，无引线
- 工作温度 :
- -65°C ~ 200°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 175 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 10µA
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
299D106X0016CB1E3
299D106X0025CB1
299D156X0010CB1
173D105X5035VE3
173D106X5010VE3
173D155X5035VE3
173D225X5020VE3
173D275X5015VE3
173D475X5020VE3
173D565X5006VE3
173D105X5035V
173D106X5010V
173D155X5035V
173D225X5020V
173D275X5015V
173D475X5020V
173D565X5006V
594D226X06R3B2W
594D226X96R3B2W
594D475X9020B2W
