产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD2389
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 2.5V @ 6mA,6A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 5000 @ 6A,4V
- 供应商器件封装 :
- TO-3P
- 功率 - 最大值 :
- 80 W
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-3P-3,SC-65-3
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 8 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GCM32B7U2J562JX01L
RHEL81H334K1M1H03A
RHEL81H224K1DBH03A
RHEL81H154K1M1H03A
RHEL81E105K1DBH03A
RHEL81E474K1DBH03A
RHEL81E334K1DBH03A
RHEL81E474K1M1H03A
RHEL81H154K1DBH03A
RHEL81H334K1DBH03A
RHEL81E334K1M1H03A
RHEL81E105K1M1H03A
RHEL81E684K1DBH03A
RHEL81H224K1M1H03A
C1206C103G8JAC7800
C1206X104J8JAC7800
0805J0500100JAT
0805J0500120JAT
0805J0500220KAT
0805J0630100JAT
