产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- TIP112 TIN/LEAD
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 2.5V @ 8mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 1000 @ 1A，4V
- 供应商器件封装 :
- TO-220-3
- 功率 - 最大值 :
- -
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -65°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN - 达林顿
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- -
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- -
- 频率 - 跃迁 :
- 25MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR
MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
