产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS35200CF8T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 300mV @ 20mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 1.5A，2V
- 供应商器件封装 :
- ChipFET™
- 功率 - 最大值 :
- 635 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 8-SMD，扁平引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 35 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73P2ERTTD225J
SG73P2ERTTD512J
SG73P2ERTTD333J
SG73P2ERTTD394J
SG73P2ERTTD624J
SG73P2ERTTD274J
SG73P2ERTTD134J
SG73P2ERTTD5R6J
SG73P2ERTTD220J
SG73P2ERTTD4R3J
SG73P2ERTTD135J
SG73P2ERTTD270J
SG73P2ERTTD393J
SG73P2ERTTD475J
SG73P2ERTTD621J
SG73P2ERTTD4R7J
SG73P2ERTTD224J
SG73P2ERTTD431J
SG73P2ERTTD125J
SG73P2ERTTD184J
