产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSV40200UW6T1G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 20mA,2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 150 @ 1A,2V
- 供应商器件封装 :
- 6-WDFN(2x2)
- 功率 - 最大值 :
- 875 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-WDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 40 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 140MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E12B2B00TTI
M55342E12B12B7TTI
M55342E12B6B49TWI
M55342H12B121ETWI
M55342E12B56B2TTI
M55342E12B16B9TTP
M55342H12B133ETTP
M55342H12B16B9TTI
M55342K12B24B9TTI
M55342K12B52E3TTIV
M55342H12B470DTTP
M55342H12B100ETTP
M55342H12B100JTTP
M55342K12B15B8TTI
M55342H12B1E05TTP
M55342K12B16D9TTPV
M55342H12B82E5TTP
M55342H12B7E50TTP
M55342K12B681DTTIV
M55342K12B3B92TTI
