产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BFN39H6327XTSA1
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 2mA，20mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 30 @ 30mA，10V
- 供应商器件封装 :
- PG-SOT223-4
- 功率 - 最大值 :
- 1.5 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 300 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 200 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RCE5C1H330J0M1H03A
RCE5C1H470J0M1H03A
RCE5C1H560J0M1H03A
RCE5C1H820J0M1H03A
RDE5C1H392J0M1H03A
RCE5C2A470J0M1H03A
RDE5C2A681J0S1H03A
RCE5C2A120J0M1H03A
RCE5C2A150J0DBH03A
RCE5C2A220J0M1H03A
RCE5C2A270J0DBH03A
RCE5C2A470J0DBH03A
RCE5C2A560J0DBH03A
RCE5C2A680J0M1H03A
RCE5C2A1R0C0M1H03A
RCE5C2A2R0C0M1H03A
RCE5C2A4R0C0M1H03A
SMK325B7333KNHT
QVS107CG5R6DCHT
CGA5H4C0G2W822J115AE
