产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NSS1C200MZ4T3G
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 220mV @ 200mA，2A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 500mA，2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223（TO-261）
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4，TO-261AA
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 120MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SRR1206-102KL
MGV17071R0M-10
6000-2R2M-RC
VLBS1007083T-R10L
MPIA4020V2-100-R
CC453232A-101KL
RLB0712-151KL
SRR1206-151KL
SRU1048-4R7Y
78439370150
6000-680K-RC
CDRH10D60BT150NP-101MC
0840CDMCCDS-R68MC
CC453232A-680KL
ASPI-8040S-680M-T
SRR1005-152K
IHLP4040DZER100M11
78439370330
6000-100K-RC
MPX1D1250L680
