产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SD2670TL
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 250mV @ 30mA,1.5A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 270 @ 500mA,2V
- 供应商器件封装 :
- TSMT3
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SC-96
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 12 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 3 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 360MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0402A330JLBAJ32
CGB2A3X5R0J105K033BB
C0402C0G1C220J020BC
CQ0402FRNPO9BN110
C0402C0G1C100D020BC
0603YC472KAT2A
CC0402FRNPO9BN471
GRM21BC81C106MA73L
C0603X6S0J224M030BC
02015A220FAT2A
C0603C470J5GAC3112
0201YD104KAT2A
CGA2B2X8R1E103M050BA
CGJ2B2C0G1H090D050BA
CGA3E2X7R2A102K080AE
GRT033D70J105ME13D
VJ0603Y104KXXPW1BC
CGA2B1X8R1E473K050BC
02015A820FAT2A
QCCF251Q0R4A1GV001T
