文档与媒体
- 数据列表
- PBHV9050ZF
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 350mV @ 20mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 100 @ 10mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 700 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 500 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 250 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SG73S1JRTTD180G
SG73S1JRTTD1100F
SG73S1JRTTD6812F
SG73S1JRTTD19R1F
SG73S1JRTTD2370F
SG73S1JRTTD22R6F
SG73S1JRTTD1541F
SG73S1JRTTD1622F
SG73S1JRTTD51R1F
SG73S1JRTTD3321F
SG73S1JRTTD515G
SG73S1JRTTD2052F
SG73S1JRTTD823G
SG73S1JRTTD45R3F
SG73S1JRTTD1473F
SG73S1JRTTD35R7F
SG73S1JRTTD2262F
SG73S1JRTTD303G
SG73S1JRTTD6810F
SG73S1JRTTD3091F
