产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SB1132T100Q
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 500mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 120 @ 100mA，3V
- 供应商器件封装 :
- MPT3
- 功率 - 最大值 :
- 2 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 32 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 500nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 150MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0805Y392JXACW1BC
VJ0805Y392JXJCW1BC
VJ0805Y392JXXCW1BC
VJ0805Y393JXACW1BC
VJ0805Y393JXJCW1BC
VJ0805Y393JXXCW1BC
VJ0805Y561JXACW1BC
VJ0805Y562JXACW1BC
VJ0805Y562JXJCW1BC
VJ0805Y562JXXCW1BC
VJ0805Y563JXACW1BC
VJ0805Y563JXJCW1BC
VJ0805Y563JXXCW1BC
VJ0805Y821JXACW1BC
VJ0805Y822JXACW1BC
VJ0805Y822JXXCW1BC
VJ0805Y823JXJCW1BC
VJ0805Y823JXQCW1BC
VJ0805Y823JXXCW1BC
VJ1206A100FXACW1BC
