产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBT1616A-Y-TP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 50mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 135 @ 100mA,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23
- 功率 - 最大值 :
- 350 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 100MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1808J2000330GFR
1808J2000330GFT
1808J2000330JCR
1808J2000330JDR
1808J2000330JDT
1808J2000330JFR
1808J2000330JFT
1808J2000330KCR
1808J2000330KDR
1808J2000330KDT
1808J2000330KFR
1808J2000330KFT
1808J2000330MDR
1808J2000330MDT
1808J2000331FCR
1808J2000331FFR
1808J2000331FFT
1808J2000331GCR
1808J2000331GFR
1808J2000331GFT